Главная страницаТехнологииНанотехнологии, новые материалыТехнологии создания тонкопленочных покрытий на основе полупроводников
Технологии создания тонкопленочных покрытий на основе полупроводников

Метод дискретного термического напыления порошка в условиях сверхвысокого вакуума на охлаждаемые до температуры жидкого азота подложки позволяет получать пленки селенида и сульфида цинка с наноразмерными образованиями, которые по кристаллической структуре (гексагональная фаза) отличаются от кубической структуры матрицы. Упорядоченный рост наноостровков свидетельствует о самоорганизации структуры по методу Странского-Крастанова. Эффективность и области использования полупроводниковых приборов, созданных на основе таких наноструктур, зависят от формы, степени упорядоченности расположения, высоты, размеров основания и числа граней (для пирамидальных наноструктур).

Направление выполняемых исследований:

Разработка технологических основ создания элементов наноэлектроники нового поколения и высокоэффективных солнечных элементов.

Наши заказчики:

Министерство образования и науки РФ.